-
1 граничный слой
граничный слой м. Grenzschicht f; Randschicht fБольшой русско-немецкий полетехнический словарь > граничный слой
-
2 запорный слой на границе металл-полупроводник
Engineering: metal-semiconductor barrierУниверсальный русско-английский словарь > запорный слой на границе металл-полупроводник
-
3 светоизлучающий транзистор с переходом металл – диэлектрик – полупроводник – органический слой (активно-матричная электролюминесцентная панель /EL-панель/ с использованием органической TFT-матрицы)
Electronics: MIS-OLETУниверсальный русско-английский словарь > светоизлучающий транзистор с переходом металл – диэлектрик – полупроводник – органический слой (активно-матричная электролюминесцентная панель /EL-панель/ с использованием органической TFT-матрицы)
-
4 структура металл-толстый слой нитрида-полупроводник
Engineering: metal-thick nitride-semiconductorУниверсальный русско-английский словарь > структура металл-толстый слой нитрида-полупроводник
-
5 структура металл-толстый слой оксида-полупроводник
Engineering: metal-thick oxide-semiconductorУниверсальный русско-английский словарь > структура металл-толстый слой оксида-полупроводник
-
6 светоизлучающий транзистор с переходом металл – диэлектрик – полупроводник – органический слой
Electronics: (активно-матричная электролюминесцентная панель /EL-панель/ с использованием органической TFT-матрицы) MIS-OLETУниверсальный русско-английский словарь > светоизлучающий транзистор с переходом металл – диэлектрик – полупроводник – органический слой
-
7 граничный слой металл-полупроводник
Универсальный русско-немецкий словарь > граничный слой металл-полупроводник
-
8 двумерный проводник
Двумерный проводникИскусственно созданная электропроводящая система на границе раздела двух плохо проводящих сред, например, вакуум — диэлектрик, полупроводник — диэлектрик. Простейший двумерный проводник — слой электронов, удерживаемых над поверхностью диэлектрика (например, жидкого Не) силами электростатического изображения (электроны поляризуют диэлектрик и притягиваются к нему), а также внешним постоянным электрическим полем, приложенным перпендикулярно поверхности диэлектрика. Аналогично в гетероструктурах (например, на основе GaAs) и у поверхности полупроводников (Si, Ge, InSb и др.) образуется двумерный слой с избыточной концентрацией носителей заряда.Russian-English dictionary of Nanotechnology > двумерный проводник
-
9 two-dimensional conductor
Двумерный проводникИскусственно созданная электропроводящая система на границе раздела двух плохо проводящих сред, например, вакуум — диэлектрик, полупроводник — диэлектрик. Простейший двумерный проводник — слой электронов, удерживаемых над поверхностью диэлектрика (например, жидкого Не) силами электростатического изображения (электроны поляризуют диэлектрик и притягиваются к нему), а также внешним постоянным электрическим полем, приложенным перпендикулярно поверхности диэлектрика. Аналогично в гетероструктурах (например, на основе GaAs) и у поверхности полупроводников (Si, Ge, InSb и др.) образуется двумерный слой с избыточной концентрацией носителей заряда.Russian-English dictionary of Nanotechnology > two-dimensional conductor
См. также в других словарях:
Слой обогащения — Для улучшения этой статьи желательно?: Найти и оформить в виде сносок ссылки на авторитетные источники, подтверждающие написанное. Термин сло … Википедия
ИНВЕРСИОННЫЙ СЛОЙ — область полупроводника у его поверхности, в к рой равновесная концентрация неосновных носителей заряда больше, чем основных. И. с. возникает, когда поверхность ПП n типа (р типа) по отношению к объёму находится под достаточно большим… … Физическая энциклопедия
ИНВЕРСИОННЫЙ СЛОЙ — ИНВЕРСИОННЫЙ СЛОЙ, слой у границы полупроводника, отличающийся от внутренних областей противоположным знаком основных носителей заряда (см. НОСИТЕЛИ ЗАРЯДА). Может образовываться как у свободной границы, так и у границы раздела с диэлектриком,… … Энциклопедический словарь
КОНТАКТ МЕТАЛЛ - ПОЛУПРОВОДНИК — (от лат. contactus прикосновение) переходная область между приведёнными в соприкосновение металлом и полупроводником, обеспечивающая прохождение электрич. тока между ними. При установлении К. м. п. вследствие различия в работе выхода электронов… … Большой энциклопедический политехнический словарь
КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ — неравновесные электронные явления, возникающие при прохождении электрич. тока через контакт полупроводника с металлом или электролитом или через контакт двух различных полупроводников (гетеропереход )либо через границу двух областей одного и того … Физическая энциклопедия
ГОСТ 22622-77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров — Терминология ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров оригинал документа: 11. Акцептор Дефект решетки, способный при возбуждении захватывать электрон из валентной зоны Определения… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР — транзистор, в к ром управление протекающим через него током осуществляется электрич. полем, перпендикулярным направлению тока. Принцип работы П. т., сформулированный в 1920 х гг., поясняется на рис. 1. Тонкая пластинка полупроводника (канал)… … Физическая энциклопедия
Полевой транзистор — Полевой транзистор (англ. field effect transistor, FET) полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе… … Википедия
Униполярный транзистор — Полевой транзистор полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда… … Википедия
ТРАНЗИСТОР — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им. Транзисторы выпускаются в виде дискретных компонентов в индивидуальных корпусах или в виде активных элементов т.н. интегральных схем, где их размеры не… … Энциклопедия Кольера
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДЕТЕКТОР — прибор для регистрации ч ц, осн. элементом к рого явл. кристалл полупроводника. Регистрируемая ч ца, проникая в кристалл, генерирует в нём дополнит. (неравновесные) электронно дырочные пары. Носители заряда (электроны и дырки) под действием… … Физическая энциклопедия
